پارت نامبر Part Number HIP6602BCB
مارکینگ Marking HIP6602BCB
کیفیت Quality Clean Used
سازنده Manufacturer INTERSIL
 Package/Case پکیج SOIC14
تعداد پین ها Number of Pins 14
قیمت محصول

تماس بگیرید

Consulting-and-sales.webp
مشاوره حرفه‌ای
24-hours-support-1.webp
پشتیبانی 24 ساعته
operation-1.webp
پرداخت آسان
guarantee-1.webp
گارانتی طلایی
packing.webp
بسته‌بندی مطمئن
fast-delivery-1.webp
ارسال فوری

: HIP6602BCB معرفی آی سی

آی سی HIP6602B یک درایور MOSFET با فرکانس بالا و دارای دو کانال قدرت است که به طور خاص برای راه‌اندازی چهار MOSFET N-Channel قدرت در توپولوژی مبدل باک سینکرون طراحی شده است. این دستگاه در دو بسته‌بندی 14 پایه SOIC یا 16 پایه QFN با PAD برای بهبود عملکرد حرارتی بسته در دسترس است. این درایورها همراه با کنترل‌کننده‌های PWM چند فازی سری HIP63xx یا ISL65xx و MOSFETها یک راه‌حل کامل برای تنظیم ولتاژ هسته برای میکروپروسسورهای پیشرفته را تشکیل می‌دهند.

HIP6602B هر دو گیت بالا و پایین را در محدوده 5V تا 12V راه‌اندازی می‌کند. این انعطاف‌پذیری ولتاژ درایو مزیت بهینه‌سازی برنامه‌هایی را فراهم می‌آورد که شامل تعادل میان تلفات سوییچینگ و تلفات هدایتی هستند. درایورهای خروجی در HIP6602B ظرفیت دارند تا MOSFETهای قدرت را در فرکانس‌های بالا به طور مؤثر سوییچ کنند. هر درایور قادر است بار 3000pF را با تأخیر انتشار 30ns و زمان انتقال 50ns راه‌اندازی کند. این دستگاه از بوت‌استرپینگ در گیت‌های بالایی با یک خازن و مقاومت خارجی برای هر کانال قدرت استفاده می‌کند که پیچیدگی پیاده‌سازی را کاهش می‌دهد و اجازه استفاده از MOSFETهای N-Channel با عملکرد بالاتر و مقرون به صرفه را می‌دهد. محافظت از شوت‌ترو (shoot-through) تطبیقی به طور یکپارچه برای جلوگیری از همزمان هدایت شدن هر دو MOSFET پیاده‌سازی شده است.

ویژگی های آی سی HIP6602BCB :

  • راه‌اندازی چهار MOSFET N-Channel
  • محافظت تطبیقی از شوت‌ترو (shoot-through)
  • دستگاه‌های بوت‌استرپ داخلی
  • پشتیبانی از فرکانس سوییچینگ بالا
    • زمان صعود سریع خروجی
    • تأخیر انتشار 30ns
  • بسته‌بندی کوچک 14 پایه SOIC
  • بسته‌بندی کوچک‌تر 16 پایه QFN با بهبود عملکرد حرارتی
  • ولتاژهای درایو گیت 5V تا 12V برای بهره‌وری بهینه
  • ورودی سه‌حالته برای خاموش کردن پل
  • محافظت در برابر ولتاژ پایین تأمین نیرو
  • محصول بدون سرب (Pb-Free) اکنون در دسترس (SO8)
  • بسته‌بندی QFN:
    • مطابق با استاندارد JEDEC PUB95 MO-220
    • طرح بسته‌بندی QFN – بدون پایه، مختص به بسته‌بندی مسطح با چهار پایه
    • طراحی مشابه اندازه مقیاس تراشه که کارایی PCB را بهبود می‌بخشد و پروفایل نازک‌تری دارد.

کاربردهای آی سی HIP6602BCB :

  • تأمین ولتاژ هسته برای پردازنده‌های Intel Pentium III و AMD Athlon جهت عملکرد بهینه پردازنده‌ها.
  • مبدل‌های DC-DC با فرکانس بالا و پروفایل کم: این مبدل‌ها برای کاربردهایی که نیاز به فرکانس بالا و ابعاد کوچک دارند، مانند دستگاه‌های همراه و تجهیزات با فضای محدود استفاده می‌شوند.
  • مبدل‌های DC-DC با جریان بالا و ولتاژ پایین: این نوع مبدل‌ها برای تأمین جریان بالا با ولتاژ پایین به منظور تغذیه پردازنده‌ها و سایر قطعات حساس در سیستم‌های الکترونیکی پیشرفته مناسب هستند.

 

اگر به دنبال خرید آی سی HIP6602BCB هستید، فروشگاه ما بهترین انتخاب برای شما است. ما این محصول را با قیمت مناسب و تضمین کیفیت ارائه می‌دهیم. برای اطلاعات بیشتر و ثبت سفارش، با ما در تماس باشید!

پارت نامبر Part Number

HIP6602BCB

مارکینگ Marking

HIP6602BCB

برند Brand

INTERSIL

کیس / پکیج Case/Package

SOIC-14

تعداد پین ها Number of Pins

14

ولتاژ تغذیه (VCC) Supply Voltage

12V ±10%

دمای کارکرد Operating Temperature

0℃~+125℃

دمای اتصال Junction Temperature

125°C

محدوده ولتاژ تأمین PVCC Supply Voltage Range PVCC

5V~12V

0 دیدگاه
0
0
0
0
0

دیدگاهها

حذف فیلترها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

اولین نفری باشید که دیدگاهی را ارسال می کنید برای “آی سی HIP6602BCB”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

شما باید وارد سیستم شوید تا بتوانید عکس ها را به بررسی خود اضافه کنید.

حمل و نقل کالا
سایر محصولات