آی سی FDS6892A

 : FDS6892A معرفی آی سی

FDS6892A یک MOSFET کانال N سطح منطقی است که با استفاده از فناوری پیشرفته Power Trench شرکت Fairchild Semiconductor تولید می‌شود. این تکنولوژی به‌طور خاص برای کاهش مقاومت در حالت روشن (RDS(on)) طراحی شده و در عین حال تضمین می‌کند که عملکرد سوئیچینگ آن در بالاترین سطح باقی بماند. به لطف این ویژگی‌ها، FDS6892A برای کاربردهای با ولتاژ پایین و مدارهای باتری‌خور ایده‌آل است، جایی که نیاز به کمترین تلفات توان در خط و سوئیچینگ سریع احساس می‌شود. این MOSFET برای مداراتی که به کارایی بالا و مصرف انرژی کم نیاز دارند، به‌ویژه در طراحی‌های سیستم‌های کم‌مصرف و موبایل کاربرد دارد. علاوه بر این، سرعت سوئیچینگ بالا و مصرف توان پایین این دستگاه، آن را برای کاربردهای قدرت پایین و مدارهای کنترل دقیق بسیار مناسب می‌کند

: ویژگی های محصول

• جریان بالا: توانایی تحمل جریان 7.5A با ولتاژ 20V
• مقاومت پایین RDS(ON):
  • 18mΩ در VGS = 4.5V.
  • 24mΩ در VGS = 2.5V.
• شارژ دروازه پایین: 12nC که به کاهش تلفات توان کمک می‌کند.
• فناوری Power Trench: بهینه شده برای کاهش مقاومت RDS(ON) و بهبود عملکرد سوئیچینگ.

کاربردهای محصول :

• مدارهای DC/DC تبدیل‌کننده: برای بهبود کارایی و کاهش تلفات توان در سیستم‌های قدرت.
• مدارهای باتری‌خور: مناسب برای مدارهایی که نیاز به مصرف انرژی پایین دارند.
• مدارهای سوئیچینگ سریع: به دلیل سرعت سوئیچینگ بالا و شارژ دروازه پایین.
• سیستم‌های الکترونیکی قابل حمل: برای دستگاه‌های موبایل و مدارات کم‌مصرف.
• مدارهای کنترل دقیق: در کاربردهایی که به سوئیچینگ دقیق و سریع نیاز دارند.
• مدارهای قدرت پایین: در دستگاه‌های صنعتی و مصرف‌کننده‌های انرژی پایین.