آی سی S29GL128P11TFIV1

معرفی آی‌سی S29GL128P11TFIV1:

حافظه‌های فلش Cypress S29GL01G/512/256/128P از فناوری MirrorBit بهره می‌برند و بر پایه فرآیند 90nm ساخته شده‌اند. این دستگاه‌ها زمان دسترسی صفحه‌ای سریعی معادل 25ns را ارائه می‌دهند، در حالی که زمان دسترسی تصادفی آن‌ها تا 90ns سریع است.

این حافظه‌ها دارای یک بافر نوشتن (Write Buffer) هستند که امکان برنامه‌ریزی حداکثر 32 کلمه / 64byte در یک عملیات را فراهم می‌کند. این قابلیت منجر به زمان برنامه‌ریزی مؤثر سریع‌تر در مقایسه با الگوریتم‌های برنامه‌ریزی استاندارد می‌شود.

این ویژگی‌ها باعث می‌شوند که این دستگاه‌ها انتخابی ایده‌آل برای کاربردهای تعبیه‌شده امروزی باشند که به چگالی بالاتر، عملکرد بهتر و مصرف توان کمتر نیاز دارند.

ویژگی‌های آی‌سی S29GL128P11TFIV1:

• ولتاژ عملکردی: 3V (2,7تا 3.6V)
• فناوری Enhanced Versatile I/O:
  • تعیین سطح ولتاژ ورودی و خروجی توسط VIO
  • بازه ولتاژ VIO: بین 1.65V تا VCC
• بافر خواندن: 8 کلمه / 16byte
• بافر نوشتن: 32 کلمه / 64byte (کاهش زمان برنامه‌ریزی)
• بخش امنیتی (Secured Silicon Sector):
  • 128 کلمه / 256 بایت برای شناسایی دائمی و ایمن
  • دارای شماره سریال الکترونیکی تصادفی (Electronic Serial Number)
  • امکان قفل شدن در کارخانه یا توسط کاربر

کاربردهای آی‌سی S29GL128P11TFIV1:

• سیستم‌های تعبیه‌شده (Embedded Systems)
• تجهیزات شبکه و مخابرات (Networking & Telecommunications)
• صنعت خودروسازی (Automotive)
• لوازم الکترونیکی مصرفی (Consumer Electronics)
• تجهیزات پزشکی (Medical Devices)

اگر به دنبال خرید آی سی S29GL128P11TFIV1 هستید، فروشگاه ما بهترین انتخاب برای شما است. ما این محصول را با قیمت مناسب و تضمین کیفیت ارائه می‌دهیم. برای اطلاعات بیشتر و ثبت سفارش، با ما در تماس باشید.