آی سی NCP5359DR2G | N5359

 : NCP5359DR2G معرفی آی سی

NCP5359 یک درایور دوگانه MOSFET با عملکرد بالا است که برای راه‌اندازی گیت‌های MOSFET های بالا و پایین در یک مبدل بوک همزمان بهینه شده است. هر یک از درایورها قادر به راه‌اندازی بار 3nF با تأخیر انتشار 25ns و زمان انتقال 20ns هستند. مدار تطبیقی غیر همپوشانی و عملیات صرفه‌جویی در انرژی می‌تواند راه‌حل با تلفات سوئیچینگ پایین و کارایی بالا برای سیستم‌های نوت‌بوک و دسکتاپ فراهم کند. طراحی درایور بالای شناور می‌تواند ولتاژ VBST تا 35V را با ولتاژهای موقتی تا 35V پشتیبانی کند. پین دوطرفه EN می‌تواند سیگنال خطا به کنترلر ارسال کند وقتی که درایور گیت خطای OVP یا UVLO را شناسایی کند. همچنین، عملکرد قفل‌کردن ولتاژ پایین (UVLO) تضمین می‌کند که خروجی‌ها زمانی که ولتاژ تأمین پایین باشد، پایین باقی بمانند و عملکرد shutdown حرارتی از IC در برابر دمای بیش از حد محافظت می‌کند.

: ویژگی های محصول

• زمان‌های صعود و نزول سریع‌تر.
• حفاظت در برابر خاموشی حرارتی.
• مدار تطبیقی غیرهمپوشانی.
• درایور بالای شناور که ولتاژهای تقویتی تا 35V را پشتیبانی می‌کند.
• کنترل غیرفعال خروجی که هر دو MOSFET را خاموش می‌کند.
• تطابق با مشخصات  11.1 VRM.
• قفل‌کردن ولتاژ پایین.
• عملیات صرفه‌جویی در انرژی در شرایط بار سبک.
• بسته‌بندی حرارتی بهبود یافته.
• این دستگاه‌ها بدون سرب (Pb-Free) هستند.

کاربردهای محصول :

• مدیریت توان و ولتاژ: برای تأمین ولتاژ پایدار به اجزای مختلف سیستم.
• صرفه‌جویی در انرژی: بهینه‌سازی مصرف انرژی و کاهش اتلاف حرارت.
• حفاظت حرارتی و ولتاژی: جلوگیری از داغ شدن و آسیب به قطعات.
• پشتیبانی از ولتاژهای بالاتر: پشتیبانی از ولتاژهای تقویتی تا 35V.