آی سی IRF7420PBF | F7420

 : IRF7420PBF معرفی آی سی

IRF7420PBF این MOSFET های توان P-Channel HEXFET از شرکت International Rectifier از تکنیک‌های پیشرفته پردازش برای دستیابی به مقاومت بسیار پایین در حالت روشن در هر ناحیه سیلیکون استفاده می‌کنند. این ویژگی به طراح این امکان را می‌دهد که دستگاهی بسیار کارآمد برای استفاده در برنامه‌های مدیریت باتری و بار داشته باشد.

SO-8 از طریق یک فریم سرب سفارشی اصلاح شده است که ویژگی‌های حرارتی بهبود یافته و قابلیت چندین تراشه را فراهم می‌آورد و آن را برای انواع مختلف کاربردهای توان ایده‌آل می‌سازد. با این بهبودها، می‌توان از چندین دستگاه در یک برنامه با فضای برد به طور قابل توجهی کاهش یافته استفاده کرد. این بسته برای تکنیک‌های لحیم‌کاری بخار فازی، مادون قرمز یا موج طراحی شده است.

ویژگی های آی سی IRF7420PBF :

• ولتاژ درین به سورس (Vdss): 12V
• ولتاژ درایو (حداکثر Rds On، حداقل Rds On): 1.8V، 4.5V
• حداکثر مقاومت در حالت روشن (Rds On): 14mΩ@11.5A,4.5V
• ولتاژ گیت به سورس (Vgs(th)): حداکثر در Id: 900M در 250µA
• حداکثر ولتاژ گیت به سورس (Vgs Max): ±8V
• حداکثر توان اتلافی (Power Dissipation): 2.5W در دمای محیط (Ta)
• دمای عملیاتی: 55C- تا 150C+

کاربردهای آی سی IRF7420PBF :

• مدارهای مدیریت توان: در منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) و سیستم‌های DC-DC.
• مدارهای سوئیچینگ: برای کنترل جریان در دستگاه‌ها مانند شارژرها و UPS.
• سیستم‌های باتری: برای مدیریت جریان و حفاظت از باتری‌ها.
• مدارهای صوتی: در تقویت‌کننده‌ها و سیستم‌های صوتی دیجیتال.
• مدارهای حفاظتی: برای محافظت از مدارها در برابر ولتاژ و جریان‌های زیاد.
• برق خودرو: در مدیریت توان و کنترل دستگاه‌های مختلف خودرو.
• مدارهای قدرت: در درایورهای موتور و رگولاتورهای ولتاژ.

اگر به دنبال خرید آی سی IRF7420PBF هستید، فروشگاه ما بهترین انتخاب برای شما است. ما این محصول را با قیمت مناسب و تضمین کیفیت ارائه می‌دهیم. برای اطلاعات بیشتر و ثبت سفارش، با ما در تماس باشید!